深圳市一芯集成科技有限公司

MR2A16ACMA35这款MRAM存储器的主要参数

参数总结:

1. 存储器类型: 非易失性存储器

2. 存储器格式: RAM

3. 存储技术: MRAM(磁阻式RAM)

4. 存储容量: 4Mb

5. 存储器组织: 256K x 16

6. 存储器接口: 并联

7. 写周期时间(字/页): 35ns

8. 访问时间: 35ns

9. 电压范围: 3V ~ 3.6V

10. 工作温度范围: -40?C ~ 85?C

11. 安装类型: 表面贴装型

12. 封装类型: 48-LFBGA

13. 供应商封装: 48-FBGA (8x8)

特点：

1. 4Mb大容量非易失性MRAM,满足您的存储需求

2. 超快35ns访问速度,提升系统性能

3. 宽电压范围3V~3.6V,适用于多种电源环境

4. 工业级-40?C~85?C温度范围,可靠性出众

5. 低功耗设计,延长电池供电设备使用时间

6. 1000万次擦写寿命,数据安全可靠

7. 小型48-LFBGA封装,便于紧凑型设计

8. 通过AEC-Q100汽车电子ren证,适用于车载应用

9. 可替代SRAM和NOR FLASH,简化系统设计

10. 卓越性能与可靠性,您的zui佳MRAM存储选择

这款4Mb MRAM存储器凭借其高性能、宽适用性和出色的可靠性,必将成为您设计中的理想选择。欢迎随时咨询!